Infineon Technologies introduceert de TO-247-4 Kelvin-Sense-behuizing voor IGBT’s. Deze nieuwe variant van de populaire TO-247-behuizing beschikt over een extra emitteraansluiting waardoor het drivercircuit niet meer wordt beïnvloed door de zelfinductie van de emitterleiding van de IGBT. Hiermee worden de schakelverliezen gereduceerd, waardoor de efficiëntie van schakelende voedingen met schakelfrequenties groter dan 20 kHz aanzienlijk toeneemt.

IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistors) combineren de gatekarakteristiek van een MOSFET met de hoog-vermogen eigenschappen van een bipolaire transistor, en zijn daardoor zeer geschikt voor schakelende voedingstoepassingen. In combinatie met de TRENCHSTOP5 IGBT-technologie van Infineon zorgt de nieuwe behuizing met kelvin-aansluiting voor 20% minder inschakelverlies en 15% minder uitschakelverlies. Hierdoor wordt het totaal van de  schakelverliezen met ongeveer 20% gereduceerd, en kunnen bijvoorbeeld compactere UPS-systemen worden gebouwd waarvoor minder koeling nodig is.

De nieuwe behuizing wordt door Infineon tijdens Elektronica 2014 in München gepresenteerd.