Supersnelle CMOS-beeldsensoren

10 december 2013, 14:36
Supersnelle CMOS-beeldsensoren
Supersnelle CMOS-beeldsensoren

Onderzoekers van het Fraunhofer Instituut voor microelektronica in Duisburg hebben CMOS-beeldsensoren gemaakt die speciaal geschikt zijn voor toepassingen waar weinig licht aanwezig is. De nieuwe sensoren zijn 100x sneller dan de bestaande sensoren voor dit soort toepassingen. Bij de huidige miniaturisatie is de pixelgrootte van CMOS-sensoren verkleind tot ongeveer 1 µm. Bij sommige toepassingen waar weinig licht beschikbaar is, zoals het maken van astronomische foto’s en röntgenfotografie, is een groter pixeloppervlak (10 µm) nodig om het licht op te vangen. Dit verlaagt echter de verwerkingssnelheid. De nieuwe sensoren van het Fraunhofer Instituut hebben dit nadeel niet.

 

Bij de gebruikelijke CMOS-beeldsensoren wordt het licht in elke pixel door een PIN-fotodiode (PPD) omgezet in een elektrisch signaal. Als de afmetingen van de pixel groter worden heeft een PPD meer tijd nodig om de elektrische lading die door het licht wordt veroorzaakt naar het leescircuit te transporteren. De onderzoekers van het Fraunhofer Instituut hebben een nieuw soort fotodiode ontwikkeld (Lateral Drift Field Photodetector, LDPD) waarin het ladingstransport door een elektrisch veld wordt versneld. Zij zijn er ook in geslaagd om deze fotodiode in het bestaande 0,35 µm fabricageproces voor CMOS-beeldsensoren te integreren waardoor serieproductie eenvoudig kan plaatsvinden.

 

Meer info:
http://www.fraunhofer.de/en/press/research-news/2012/january/cmos-sensors.html

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items