Energiebesparende schakeltransistors op basis van galliumnitride

30 april 2015, 11:28
Energiebesparende schakeltransistors op basis van galliumnitride
Energiebesparende schakeltransistors op basis van galliumnitride
Het is de Technische Universiteit van Wenen samen met Oostenrijkse industriepartners gelukt om energiezuinige vermogensschakelaars op galliumnitride-basis te ontwikkelen. Bij de gebruikelijke bouwstenen op basis van silicium is geen verdere verbetering van het rendement meer mogelijk. Met de nieuwe transistoren zijn voedingen gebouwd waarbij een energierendement van 98 % werd behaald. De ontwikkeling van de nieuwe schakeltransistoren gebeurde in het kader van een 5,6 miljoen Euro kostend EU-project met de naam HiPoSwitch dat onder leiding van het Duitse Ferdinand Braun Instituut (FBH) werd uitgevoerd.

De ontwikkeling van het prototype van de nieuwe transistor vond plaats bij de Technische Universiteit van Wenen waar men jarenlange ervaring heeft in het bewerken van galliumnitride. Een belangrijk punt bij deze ontwikkeling was de thermische belastbaarheid van het onderdeel. De nieuwe transistor ontwikkelt door het verbeterde rendement minder warmte, en kan tegelijkertijd ook hogere temperaturen verdragen. Hierdoor kunnen minder hoge eisen aan de koeling worden gesteld en kunnen de voedingen kleiner en lichter worden uitgevoerd. De nieuwe transistors werden op een omgebouwde silicium-productielijn van Infineon vervaardigd. De experimentele voedingen werden door het Oostenrijkse bedrijf Artesyn Austria gebouwd.

Foto: TU Wien
gerelateerde items