Elektor Team

Eerste 3D NAND-flashgeheugen in massaproductie

10 december 2013, 14:37
Eerste 3D NAND-flashgeheugen in massaproductie
Eerste 3D NAND-flashgeheugen in massaproductie

Samsung is gestart met de massaproductie van het eerste ‘3D Vertical NAND Flash’ geheugen. Met deze nieuwe ontwikkeling worden de huidige capaciteitsbeperkingen van NAND-flashtechnologie doorbroken. De nieuwe V-NAND-chips hebben een opslagcapaciteit van 128 Gb dankzij de fabriekseigen 3D Charge Trap Flash (CTF) technologie in combinatie met verticale verbindingen tussen de geheugencellen. De geheugendichtheid wordt hierdoor twee keer zo groot als bij de conventionele 20 nm-klasse planar NAND-flashtechnologie.

 

De afgelopen 40 jaar is flashgeheugen gebaseerd geweest op tweedimensionale structuren met drijvende gates. Bij het steeds kleiner worden van deze structuren kan interferentie tussen de geheugencellen ontstaan. Bij de nieuwe V-NAND-structuur worden cellen verticaal gestapeld, waarbij een speciaal etsproces tot 24 lagen met elkaar kan verbinden. Ook is de drijvende gate vervangen door een ‘opslagkamer’ van siliciumnitride waardoor de interferentie tussen cellen wordt tegengegaan. 

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items