Elektor Team

FRAM met SRAM-compatibele interface

10 december 2013, 14:37
FRAM met SRAM-compatibele interface
FRAM met SRAM-compatibele interface

Fujitsu Semiconductor introduceert een nieuwe 4 Mbit FRAM-module uitgerust met een SRAM-compatibele parallel-interface. Omdat FRAM in tegenstelling tot SRAM niet vluchtig is wordt hiermee een backup-batterij uitgespaard. Bij het vluchtige SRAM is zo’n batterij wel nodig om de circa 15 µW te leveren die dataverlies in uitgeschakelde toestand moet voorkomen. De nieuwe FRAM module (MB85R4M2T) is bedoeld als directe vervanger voor SRAM-modules in industriële apparatuur, kantoormachines en medische apparaten.

 

Bij FRAM (Ferroelectric RAM) wordt voor de opslag van informatie gebruik gemaakt van de posities van atomen in een ferroelektrisch kristal. Lees- en schrijfacties vinden plaats met de maximale bussnelheid, en er hoeft niet zoals bijvoorbeeld bij een EEPROM op een ‘ready’-conditie te worden gewacht. Het aantal lees- en schrijfcycli is vrijwel onbeperkt en de data blijven minimaal 10 jaar in het niet-vluchtige geheugen opgeslagen.

 

Samples van de nieuwe geheugenmodule zijn met ingang van januari 2014 beschikbaar. De module wordt geleverd in een 44-pens TSOP-behuizing.

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items