Elektor Team

Geheugenelement met vier logische toestanden

10 december 2013, 14:36
Geheugenelement met vier logische toestanden
Geheugenelement met vier logische toestanden

Onderzoekers van het Max Planck Instituut voor Microstructuurfysica hebben een geheugenelement gemaakt dat vier logische toestanden kent. Het element bestaat uit een ‘sandwich’ van ferromagnetische  en ferroelektrische materialen. Met een elektrische puls kunnen zowel de elektrische als de magnetische eigenschappen van het element worden gewijzigd waardoor de tunnelweerstand vier verschillende waarden kan aannemen. Hiermee kan bijvoorbeeld de opslagdichtheid van MRAM-geheugens (Magnetic Random Access Memory)  aanzienlijk worden vergroot.

 

De door de onderzoekers gemaakte multiferroïde sandwich bestaat uit een ferroelektrische laag (PZT) die tussen twee ferromagnetische lagen is ingeklemd. De elektrische polarisatierichting van de PZT-laag kan met een elektrische spanning worden omgepoold. Met een magnetisch veld kan de magnetische polarisatierichting van een van de ferromagnetische lagen worden omgepoold. Er zijn dus vier polarisatietoestanden mogelijk. Als nu een elektrische spanning tussen de ferromagnetische lagen wordt aangelegd, ontstaat er een tunnelstroom door het niet elektrisch geleidende PZT. De waarde van deze tunnelstroom en van de daarmee samenhangende tunnelweerstand is voor ieder van de vier polarisatietoestanden anders. Hiermee kunnen dus vier logische toestanden worden weergegeven.

 

Meer info:
http://www.mpg.de/5047313/multiferroischer_tunnelkontakt_datenspeicher_spintronik?page=1

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items