Onderzoekers van Chalmers University of Technology (Zweden) hebben een methode ontwikkeld voor efficiënte koeling van elektronische componenten met behulp van een grafeenfilm. De dunne laag grafeen heeft een thermisch geleidend vermogen dat vier keer zo groot is als dat van koper. Bovendien hecht de grafeenfilm zeer goed aan silicium.

Grafeen is een goede warmtegeleider, maar de laagdikte van één atoom is niet voldoende voor een efficiënt koelsysteem. Tot nu toe was het echter niet mogelijk om meer lagen grafeen op elkaar te stapelen omdat deze zich niet aan elkaar en aan het te koelen onderdeel hechten. De onderzoekers hebben nu ontdekt dat het molecuul (3-Aminopropyl) triethoxysilaan (APTES) de eigenschappen van het grafeen zodanig wijzigt dat er een sterke hechting met silicium ontstaat. Bovendien wordt het thermisch geleidend vermogen van de grafeenlaag door de toevoeging van dit molecuul vergroot.  Bij een grafeenfilm met een dikte van 20 µm werd een geleidend vermogen van 1600 W/mK gemeten, vier keer zoveel als bij koper. 

De resultaten van het onderzoek werden onlangs gepubliceerd in het tijdschrift Advanced Functional Materials.

Foto: Johan Liu