Halve bruggelijkrichter in GaN-HET-technologie voor 600V en 3 MHz

28 mei 2017, 15:49
GaN-die met twee HET’s en twee vrijloopdioden. Afbeelding: Fraunhofer IAF
GaN-die met twee HET’s en twee vrijloopdioden. Afbeelding: Fraunhofer IAF
Fraunhofer IAF (Institute for Applied Solid State Physics) heeft een bijzonder snelle halve bruggelijkrichter in GaN-technologie met twee HET ’s en twee vrijloopdioden op één die ontwikkeld. Deze is geschikt voor 600 V en 3 MHz. De geïntegreerde HET ’s hebben een on-weerstand van slechts 120 mΩ. Dankzij de hoge schakelfrequenties die daarmee mogelijk zijn, kunnen schakelende omvormers met kleine spoelen worden ontwikkeld die weinig ruimte innemen.

De snelheid is te danken aan de GaN-technologie (galliumnitride) en bij de vrijloopdiodes aan de Schottky-contacten. Die laatste zijn heel gewone parasitaire diodes, maar in deze configuratie ook bijzonder snel. Het begrip HET is een acroniem voor High Electron mobility Transistor. De geïntegreerde halve brugschakeling is bijzonder geschikt voor kleine, efficiënte schakelende omvormers, bijvoorbeeld in laad- en voedingsschakelingen voor elektrische voertuigen. Meer informatie is te vinden in een artikel in PDF-formaat.
 
Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items