Nanodraad-transistors voor toekomstige robuuste elektronica

22 mei 2014, 22:00
Nanodraad-transistors voor toekomstige robuuste elektronica
Nanodraad-transistors voor toekomstige robuuste elektronica

Wetenschappers van de Universiteit van Californië (Davis) hebben driedimensionale nanodraad-transistors gemaakt door atomen van halfgeleidermaterialen op een oppervlak van silicium samen te voegen tot nanodraden en -structuren. Deze nieuwe technologie wordt veelbelovend genoemd voor de ontwikkeling van een nieuwe generatie snelle en robuuste elektronische en fotonische onderdelen.

De huidige geïntegreerde schakelingen van geëtst silicium lopen tegen de ondergrens van hun afmetingen aan, en zijn bovendien niet geschikt voor grote vermogens, hoge spanningen of temperaturen van meer dan 250 °C. Met de nieuwe technologie zouden bijvoorbeeld sensors kunnen worden gemaakt die bestand zijn tegen de temperaturen die in vliegtuigmotoren optreden. Door de verschillen in kristalstructuur is het niet mogelijk om silicium te voorzien van lagen die uit andere halfgeleidermaterialen bestaan. Het blijkt nu echter wel mogelijk om deze andere materialen in de vorm van nanodraden op het silicium te laten groeien, waarmee onder andere transistors kunnen worden gemaakt die hoge temperaturen kunnen verdragen.

Foto: Saif Islam / UC Davis

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items