Het Belgische onderzoeksinstituut voor nanoelektronica IMEC heeft samen met de Universiteit van Gent en de Stanford University een compacte elektro-absorptie-modulator (EAM) met een modulatiebandbreedte van meer dan 50 GHz gedemonstreerd. De realisatie van deze ‘germanium-op-silicium’-modulator  vormt een belangrijke stap in de ontwikkeling van een nieuwe generatie geïntegreerde optische transceivers voor datacommunicatie-toepassingen met snelheden van meer dan 50 gigabit per seconde.

Aan toekomstige optische interfaces worden strenge eisen gesteld met betrekking tot  modulatie-efficientie, modulatiebandbreedte, afmetingen en thermische eigenschappen. De onderzoekers hebben bij het ontwerp van de nieuwe modulator gebruik gemaakt van de speciale eigenschappen van  IMEC’s 200 nm silicium fotonicatechnologie (iSiPP25G) waarin zeer verliesarme germanium-golfgeleiders kunnen worden gerealiseerd met een capaciteit van slechts 10 femtofarad. Hierdoor zijn hogere modulatiesnelheden en een grotere modulatie-efficiëntie mogelijk.
IMEC’s silicium fotonicatechnologie is voor bedrijven beschikbaar in de vorm van standaardcellen. Ook kunnen eigen ontwerpen voor testdoeleinden worden geproduceerd in Multi-Project Wafer (MPW) runs.