Snelheidsrecord voor silicium-germaniumtransistor

21 februari 2014, 00:00
Snelheidsrecord voor silicium-germaniumtransistor
Snelheidsrecord voor silicium-germaniumtransistor

Een team van wetenschappers van het Georgia Institute of Technology en het Duitse IHP heeft de tot nu toe snelste silicium-germanium(SiGe)transistor gemaakt. Met een fMAX van 798 gigahertz heeft deze transistor het vorige record met 200 GHz overtroffen. Hoewel de transistor om deze snelheid te bereiken tot 4,3 K (-268,3 graden Celcius) moest worden afgekoeld, blijkt uit het onderzoek dat het nog maar een kleine stap is naar het bij kamertemperatuur realiseren van dergelijke hoge snelheden, waarmee silicium een serieuze concurrent van materialen zoals indiumfosfide en galliumarsenide zou worden bij de ontwikkeling van toekomstige supersnelle telecommunicatie- en radarsystemen.

 

Bij de SiGe technologie worden aan silicium-wafers tijdens de productie kleine hoeveelheden germanium toegevoegd waardoor de prestaties aanzienlijk toenemen. De record-transistor werd vervaardigd in IHP’s 130 nanometer BICMOS-proces dat goedkoper is dan de huidige geminiaturiseerde CMOS-processen. Het team van Georgia Tech gebruikte vloeibaar helium om de benodigde lage temperatuur te bereiken. De nieuwe transistor heeft een doorslagspanning van 1,7 V, hetgeen volgend de onderzoekers voldoende is voor de meeste toepassingen. Ook bij kamertemperatuur werd met de SiGe-transistor al een hoge fMAX van 417 GHz bereikt.

 

Foto: Rob Felt/Georgia Tech

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items