Toshiba Electronics introduceert een vermogensschakelaar die geschikt is voor spanningen tot 4.500 V en stromen tot 1.200 A. De toegestane collectordissipatie is 4.000 watt (bij 25 °C). Deze nieuwe IEGT-module (Injection-Enhanced Gate Transistor) is geschikt voor vermogenstoepassingen zoals elektrische tractie bij treinen en trams, industriële aandrijvingen en systemen voor opwekking en distributie van (groene) elektrische energie.   

De module met typenummer MG1200GXH1US61 bevat een N-kanaal-IEGT in combinatie met een snelle recovery-diode, en is ondergebracht in een plastic behuizing met een grondvlak van 14 x 19 cm. De isolatie van de module is bestand tegen wisselspanningen tot 6.000 V (gedurende 1 minuut). Door de lagere verzadigingsspanning en eenvoudige aansturing van IEGT’s ten opzichte van respectievelijk IGBT’s en thyristors werken deze modules energiebesparend waardoor hiermee bijvoorbeeld kleinere en lichtere motoraandrijvingen kunnen worden gerealiseerd. De maximum collectorstroom is 2.400 A en de werktemperatuur van de module mag liggen tussen -40 °C en +150 °C.