Elektor Team

De 50-50-chip: Geheugen van de toekomst?

10 december 2013, 14:37
De 50-50-chip: Geheugen van de toekomst?
De 50-50-chip: Geheugen van de toekomst?

Een nieuw en milieuvriendelijk materiaal voor elektronicacomponenten is mogelijk op basis van 50 aluminum-atomen en 50 antimoon-atomen. Dit materiaal wordt beschreven in een artikel in het vakblad "Applied Physics Letters" en volgens de onderzoekers is dit uitermate geschikt als basis voor de komende generaties phase-change-geheugens.

 

Phase-change-geheugens worden momenteel gezien als veelbelovend alternatief voor de veelgebruikte flash-geheugens, aangezien de laatste wat betreft geheugendichtheid tegen hun grenzen aanlopen en phase-change-geheugens bovendien beduidend sneller zijn. De werking van phase-change-geheugens baseert op de verandering van een materiaal van een amorfe naar een kristallijne structuur onder invloed van een elektrische impuls. Daarbij verandert de weerstand van hoogohmig in de amorfe toestand naar laagohmig in de kristallijne toestand, hieraan kunnen eenvoudig binaire waardes worden toegekend. Flash-geheugen wordt problematisch bij structuren onder 20 nm. Bij de phase-change-techniek zijn echter structuren van kleiner dan 10 nm mogelijk. Bovendien is de schrijfsnelheid hoger en de prijs lager dan die van flash-geheugen.

 

Tot nu toe werd phase-change-basismateriaal samengesteld uit germanium, antimoon en tellurium, stoffen die samen moeilijk te verwerken zijn. De beperking tot aluminium en antimoon maakt niet alleen de productie eenvoudiger, maar het aldus ontstane materiaal is bovendien thermisch stabieler. Bij Al50Sb50 werden door Xilin Zhou van het Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology (Chinese Academy of Sciences) drie weerstandstoestanden vastgesteld, waardoor het zelfs mogelijk is drie in plaats van twee digitale toestanden in een cel op te slaan.

 

Illustratie: SIMIT/Xilin Zhou

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items