Halfgeleiderlaser met een piekvermogen van 3,2 megawatt

19 maart 2015, 23:00
Halfgeleiderlaser met een piekvermogen van 3,2 megawatt
Halfgeleiderlaser met een piekvermogen van 3,2 megawatt

Het Amerikaanse Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL) heeft laserdiode-arrays in gebruik genomen die samen een piekvermogen van 3,2 MW leveren en hiermee de sterkste halfgeleiderlaser ter wereld vormen. De diode-arrays zijn een belangrijk onderdeel van het
‘High-Repetition-Rate Advanced Petawatt Laser System’ (HAPLS) dat op dit moment door het laboratorium wordt gerealiseerd. Dit systeem zal worden gebruikt in een wetenschappelijk onderzoekscentrum dat door de Europese Unie in Tsjechië wordt gebouwd.

HAPLS is ontworpen om laserpulsen van 30 femtoseconden en een piekvermogen van meer dan één petawatt te genereren bij een herhalingsfrequentie van 10 Hz. Deze hoge herhalingsfrequentie betekent een belangrijke verbetering ten opzichte van de huidige generatie petawatt-systemen die met flitslampen werken waardoor de herhalingsfrequentie beperkt blijft tot maximaal 1 Hz. In HAPLS wordt de eindversterker aangestuurd door de diode-arrays die tien keer per seconde pulsen met grote vermogens kunnen afgeven. Voor de voeding van de diodes werd een nieuw type voedingssysteem ontwikkeld, met schakelende voedingen die voedingspulsen met een nauwkeurig bepaalde vorm en een piekstroom van 40.000 ampère leveren. Deze voedingstechnologie is door het Livermore-lab gepatenteerd.

Foto: Damien Jemison

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items