MOSFET’s >1 kV hebben een bredere TO-220-behuizing nodig

16 augustus 2016, 10:42
TO-220FP wide creepage van STMicroelectronics
TO-220FP wide creepage van STMicroelectronics
De evolutie van de elektronica raakt ook oninteressante componenten zoals MOSFET’s. Er wordt voortdurend gevijld aan de technische gegevens. Onder de nieuwe vermogens-MOSFET’s van verschillende fabrikanten zijn er nu series voor bijzonder grote maximale drain-source-spanningen van duidelijk meer dan 1 kV of nog groter. Dat kan alleen maar goed gaan als ze een bredere behuizing hebben.

Bij 1500 V en meer wordt de traditionele pen-afstand van 1/10" = 2,54 mm te krap. MOSFET’s in een goedkope, normale TO220AB-behuizing zijn eigenlijk alleen mogelijk tot 1 kV, omdat anders bij bepaalde omgevingscondities spanningsoverslag kan optreden. We hebben dus een behuizing nodig, waarin de drie pennen meer ruimte wordt gegund. Dus moet die duidelijk breder zijn. Zowel STMicroelectronics als Infineon gebruiken hiervoor een speciale variant van de TO-220, die voluit geschreven „TO-220 FullPAK wide creepage“ heet. Deze behuizing heeft het voordeel van een penafstand van 4,25 mm, wat ongeveer overeenkomt met 1/6". Hoe men toch altijd weer op zulke kromme waarden komt, zou nog een verhaal op zich zijn...
 

 
Vergelijking tussen een „normale“ TO-220FP en de bredere TO-220FP wide creepage. Foto: Infineon


 
Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items