Nieuw type geheugen: 3D Xpoint

31 juli 2015, 00:01
Nieuw type geheugen: 3D Xpoint
Nieuw type geheugen: 3D Xpoint
De nieuwe niet-vluchtige geheugentechnologie die Intel en Micron samen hebben ontwikkeld heet 3D Xpoint en is 1.000 keer sneller is dan het huidige NAND-flashgeheugen. Hoewel nog niet veel technische details zijn bekendgemaakt, betreft het naar alle waarschijnlijkheid een variant van RRAM (Resistive RAM).

Het 3D Xpoint geheugen lijkt op een driedimensionaal schaakbord waarbij de geheugencellen zich op de kruispunten van bit- en woordlijnen bevinden. Hierdoor kunnen de cellen individueel worden geadresseerd waardoor het lezen en schrijven met kleine hoeveelheden data tegelijk kan plaatsvinden. Dit resulteert in een efficiënt en snel lees/schrijfproces. De eerste chips met de nieuwe technologie hebben een capaciteit van 128 Gb (16 gigabyte) en bevatten twee lagen met geheugencellen. Volgens de fabrikanten kan bij deze geheugenstructuur het aantal lagen met geheugencellen eenvoudig worden uitgebreid. Geheugencellen worden beschreven of gelezen met behulp van stuurspanningen, zonder dat hierbij transistoren worden gebruikt. Hierdoor kan de toegangstijd lager liggen dan bij de tot nu toe gebruikelijke niet-vluchtige geheugentypes.

Illustratie: Micron
gerelateerde items