Nieuwe technologie voor RRAM

16 juli 2014, 22:00
Nieuwe technologie voor RRAM
Nieuwe technologie voor RRAM

Onderzoekers van Rice University hebben een nieuwe technologie voor resistief RAM ontwikkeld die het mogelijk maakt om de geheugens bij kamertemperatuur en met bestaande productiemethoden te vervaardigen. Hierdoor kunnen de door Rice ontwikkelde geheugens concurreren met andere RRAM-technologieën.

Bij resistief RAM, een niet-vluchtig geheugentype, wordt informatie opgeslagen door met behulp van een elektrische spanning tussen twee draden een geleidende verbinding in een niet-geleidend materiaal te creëren of weg te halen. Het wel of niet aanwezig zijn van zo’n verbinding vertegenwoordigt respectievelijk een ‘1’ of een ‘0’. Door poreus siliciumoxide als diëlektricum te gebruiken zijn de onderzoekers erin geslaagd om de zogenaamde formeerspanning sterk te reduceren. Met dit materiaal is het ook mogelijk om maximaal negen bits in één geheugencel op te slaan. RRAM wordt gezien als de opvolger van flashgeheugen omdat het sneller is en meer gegevens per volume-eenheid kan bevatten.

Illustratie: Tour Group / Rice University

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items