Wie een super-smartphone met 256 GB aan flashgeheugen al overdreven vindt, zal nu pas echt verrast zijn: Samsung heeft een nieuwe prestatie geleverd bij het miniaturiseren van elektronica. Ze zijn er namelijk in geslaagd om de capaciteit van hun meest geïntegreerde flashgeheugenchips (in duidelijk minder dan de volgens de Wet van Moore gebruikelijke twee jaar) te verdubbelen van 512 GB naar 1 TB. Bovendien is de eUFS (embedded Universal Flash Storage) niet groter dan 11,5 x 13 mm. Tegelijk kon de snelheid van het lezen en schrijven worden vergroot.

Galaxy 10?

Het flashgeheugen in SD-kaarten is langzamer dan dat in smartphones. Dat moet sneller zijn, omdat anders hun ARM-SoC’ s veel tijd zouden verprutsen bij het lezen of schrijven van het geheugen. Ook het vullen of uitlezen van het geheugen van een smartphone zou anders weleens uren kunnen duren met de gebruikelijke data die uit veel kleine bestanden bestaat (veel muziekbestanden en foto’s). Bovendien zijn de ruimte-budgetten in een smartphone minstens even beperkt als bij een SD-kaart en ruimte op de print is duur, want het beperkt de beschikbare ruimte voor accu’s en dergelijke.
Het lijkt erop, dat er wel een markt is voor mobiele apparaten met een extreem groot geheugen en er wordt gefluisterd, dat Samsung van plan is om zijn volgende vlaggenschip, de Galaxy 10+ premium met deze chip uit te rusten. Dat zal Apple vast op zich laten zitten en dan mogen we voor de volgende iPhone (versie XX+ of XY+?) rekenen op een waanzinnige prijs van 2 k€ of iets dergelijks. Eigenlijk is het krankzinnig, dat er binnenkort smartphones zullen zijn met een geheugen dat groter is dan dat van een normale laptop. Het is wel bizar dat Apple nog steeds premium-producten uitrust met SSD ’s van een armzalige 128 GB (en zich voor ieder extra bit excessief laat betalen), terwijl hun leverancier Samsung veel grotere chips kan leveren.

 
1TB-flash-Chip. Afbeeldingen: Samsung.

Eigenschappen

Samsung’s nieuwe eUFS bestaat uit 16 gestapelde lagen van elk 512 MB, wat precies 1.024 GB = 1 TB oplevert. Samsung gebruikt hiervoor zijn 3D-NAND-flash-techniek V-NAND, die ook wordt gebruikt in moderne SSD ’s zoals de Model 970 Evo Plus. Elke die bestaat zelf weer uit 96 lagen van flash-cellen. De belangrijke benchmark IOPS voor random access is 58.000 voor lezen en 50.000 voor schrijven net als bij normale SSD ’s. Alleen de betere NVME-modellen zoals bijvoorbeeld die van Samsung en andere fabrikanten halen veel hogere waarden, tot wel 400.000. Voor smartphones en tablets is deze 1TB-chip ruimschoots snel genoeg.
Ook de overdrachtssnelheid is niet te versmaden: met maximaal 1.000 MB/s bij lezen en altijd nog 260 MB/s bij schrijven is hier ook sprake van een kleine verbetering in vergelijking met het 512GB-type. SSD ’s die daarmee zijn opgebouwd zijn sneller, omdat ze beschikken over een controller, die vooral de schrijfoperaties versnelt met behulp van een cache en die parallelle datatoegang kan verdelen over meerdere chips.