Thomas Scherer

ReRAM bereikt de snelheid van DRAM

10 juli 2017, 15:27
Opbouw van een 4DS-ReRAM-cel. Afbeelding: 4DS Memory
Opbouw van een 4DS-ReRAM-cel. Afbeelding: 4DS Memory
Volgens de Australische halfgeleiderfabrikant 4DS Memory haalt hun ReRAM-geheugentechnologie door structurele veranderingen nu snelheden die DRAM kunnen evenaren. Daarmee is in principe niet-vluchtig massageheugen te maken dat extreme datadoorvoersnelheden kan bereiken. De vooruitgang is vooral behaald door reductie van de bij deze techniek inherent grote kans op fouten.

Deze foutkansen worden veroorzaakt door grote fluctuaties van de geheugencellen. Om de betrouwbaarheid te vergroten worden gewoonlijk foutcorrectietechnieken gebruikt, maar die kosten tijd en schaden daardoor zowel de toegangstijd als de doorvoersnelheid. Omdat de nieuwe zogenaamde interface Switching ReRAMs van 4DS niet zulke grote fluctuaties hebben, kan worden volstaan met minimale ingrepen voor de foutcorrectie en daardoor kan de snelheid sterk worden vergroot. In de afgelopen jaren heeft de firma de grootte van de structuren kunnen verkleinen tot 40 nm en de stabiliteit duidelijk verbeterd.

Alle fabrikanten streven er bij ReRAM–techniek naar om de eigenschappen van gangbaar flashgeheugen te overtreffen. Al ruim tien jaar wordt de verwachting uitgesproken dat ReRAM ooit de plaats van flashgeheugen zou kunnen innemen. Een probleem voor brede inzet is dat flashgeheugen zó goedkoop geworden is dat ReRAM er nog niet mee kan concurreren. Doordat nu in elk geval aan de snelheidseis kan worden voldaan, ontstaat er een mogelijkheid voor een nichemarkt tussen flashgeheugen en DRAM. Toch is de wedstrijd tegen de concurrentie van nog nieuwere opslagtechnieken zoals 3D-Xpoint nog lang geen gelopen race.
 
Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items