MIT
Elektor Team

Snelste P-type transistor

10 december 2013, 14:37
Snelste P-type transistor
Snelste P-type transistor

Een onderzoeksteam van het Massachusetts Institute of Technology en de University of British Columbia hebben een experimentele P-type transistor ontwikkeld waarin de ladingdragers vier keer zo snel bewegen als in de snelste op dit moment verkrijgbare transistoren. Deze verhoogde ‘carrier mobility’, die aangeeft hoe snel ladingdragers bewegen onder invloed van een elektrisch veld, zorgt ervoor dat de transistor sneller schakelt bij gelijkblijvende spanning, of  zijn oorspronkelijke snelheid behoudt bij een lagere spanning. Volgens de onderzoekers kan het nieuwe transistorconcept bijdragen aan de continue ontwikkeling van snellere en kleinere computerchips.

 

De nieuwe transistor is gemaakt van germanium waarin de atomen dichter op elkaar zitten dan normaal. De onderzoekers hebben dit bereikt door het germanium te laten ‘groeien’ op een laag silicium en een laag die bestaat uit een mengsel van silicium en germanium. De germaniumatomen van de transistor proberen op één lijn te komen met de atomen in de onderliggende lagen waardoor ze dichter op elkaar worden geperst.  Om de lekstroom van de transistor te verkleinen wordt het ‘trigate’ model gebruikt waarbij het transistorkanaal op het chipoppervlak ligt en de gate hier aan drie kanten omheen is gevouwen.

 

Afbeelding: Winston Chern, Pouya Hashemi en James Teherani 

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items