Elektor Team

Betere 3D-chips door koolstof nanobuisjes

10 december 2013, 14:36
Betere 3D-chips door koolstof nanobuisjes
Betere 3D-chips door koolstof nanobuisjes

Onderzoekers van Chalmers University of Technology in Göteborg hebben laten zien dat ’gestapelde’ chips kunnen worden doorverbonden met behulp van koolstof nanobuisjes in gaten in het silicium substraat (Through-Silicon Vias, TSV). Tot nu toe werden dit soort verbindingen van koper gemaakt, maar koperen verbindingen zijn minder betrouwbaar dan verbindingen van koolstof. Bovendien heeft koolstof een groter koelend vermogen dan koper. De onderzoekers verwachten dat deze nieuwe verbindingstechniek binnen vijf jaar in de chipsindustrie zal worden toegepast.

 

Bij de door Chalmers ontwikkelde techniek bestaat iedere verbinding uit duizenden koolstof nanobuisjes (buisjes van grafeen met wanden die slechts één atoom dik zijn). Doordat de chips op elkaar worden gelijmd blijven deze buisjes op hun plaats en vormen een elektrische verbinding.  Naast het koelend vermogen dat groter is dan dat van koper, hebben ze ook betere mechanische eigenschappen. De uitzettingscoëfficient van koolstof nanobuisjes is ongeveer net zo groot als die van silicium, terwijl koper een grotere uitzettingscoëfficient heeft waardoor koperen verbindingen sneller problemen zullen geven.

 

Meer info:
http://www.chalmers.se/en/news/Pages/Carbon-nanotubes-best-for-3D-electronics.as

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items