Elektor Team

Demonstratie van eerste phase-change geheugenmodule

10 december 2013, 14:36
Demonstratie van eerste phase-change geheugenmodule
Demonstratie van eerste phase-change geheugenmodule

Studenten van de University of California (San Diego) hebben het eerste demonstratiemodel gebouwd van een geheugenmodule die is gebaseerd op phase-change-geheugen. De module is duizenden malen sneller dan een gewone harde schijf en zeven maal sneller dan de huidige generatie op flash-geheugen gebaseerde SSD’s. Met deze nieuwe ontwikkeling wordt de weg geopend naar toepassing van solid-state geheugen in bijvoorbeeld wetenschappelijke computersystemen die grote hoeveelheden data van omgevingssensoren moeten analyseren.

 

Bij phase-change geheugen (PCM) worden de bits opgeslagen door een bepaalde  metaallegering (chalcogenide) van een kristallijne naar een amorfe toestand te laten overgaan, en omgekeerd. Dit gebeurt met warmte die door een elektrische stroom wordt opgewekt. Om de bits uit te lezen wordt met een kleinere elektrische stroom bepaald in welke toestand de metaallegering zich bevindt. De in de demonstratiemodule toegepaste PCM-chips kunnen grote datablokken lezen met een snelheid van 1,1 GB/s en schrijven met 371 MB/s. Voor kleinere datablokken (bijvoorbeeld 512 B) is dit respectievelijk 327 MB/s en 91 MB/s, wat zeven maal sneller is dan de huidige SSD’s.

 

Het nieuwe geheugensysteem met de naam ‘Moneta’ wordt op 7 en 8 juni 2011 gedemonstreerd tijdens de Design Automation Conference (DAC 2011) in San Diego.

 

Meer info:
http://ucsdnews.ucsd.edu/newsrel/science/06-02-11data_frontier.asp#

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items