Onderzoekers van de University of Texas (Austin) zijn er in geslaagd om een transistor van siliceen te maken. Siliceen is een laag silicium met een dikte van slechts één atoom, en heeft net als grafeen uitstekende elektrische eigenschappen. In theorie kunnen met dit materiaal kleinere en snellere computerchips worden gemaakt, maar tot nu toe was het lastig te produceren omdat het instabiel is bij blootstelling aan de lucht.

De onderzoekers hebben nu een methode gevonden voor de productie van siliceen-transistors bij lage temperatuur, zonder dat het materiaal instabiel wordt. Hierbij wordt een damp van siliciumatomen in een luchtledige ruimte neergeslagen op een laag zilver. Vervolgens wordt de siliceenlaag bedekt met aluminiumoxide. Door de bescherming van het zilver en het aluminiumoxide kan de siliceenlaag eenvoudig worden gemanipuleerd en met de zilverlaag naar boven op een substraat van siliciumoxide worden geplaatst. Door een strook van het zilver weg te schrapen ontstaat een siliceenlaag tussen twee metalen elektroden.

De resultaten van het onderzoek werden onlangs gepubliceerd in het tijdschrift Nature Nanotechnology.