Onderzoekers van het Birck Nanotechnology Center van de Purdue University zijn gestart met de ontwikkeling van een nieuwe halfgeleidertechnologie die is gebaseerd op 2D-nanokristallen. Deze nanokristallen kunnen worden gestapeld in lagen met een dikte van minder dan een nanometer. De nieuwe technologie wordt genoemd als toekomstige vervanger van de huidige CMOS-transistortechnologie, die met een gate-lengte van 6 nm (verwacht in het jaar 2020) waarschijnlijk de ondergrens van wat mogelijk is zal bereiken.

 

De gelaagde structuur waar de onderzoekers zich op richten is gemaakt van molybdeniumdisulfide, een nieuw soort halfgeleidermateriaal. De kristallen worden tweedimensionaal genoemd vanwege hun dikte van slechts 0,7 nanometer, ruwweg de dikte van twee of drie atomen. Het materiaal lijkt daarmee op grafeen, maar heeft in tegenstelling tot grafeen wel een bandgap. Om metingen aan het nieuwe halfgeleidermetaal te kunnen doen moeten er metalen verbindingen mee worden gemaakt. De onderzoekers hebben dit opgelost door gebruik te maken van het metaal scandium.

 

Foto: Birck Nanotechnology Center, Purdue University.