MIT
Elektor Team

Kleinste indium gallium arsenide transistor

10 december 2013, 14:37
Kleinste indium gallium arsenide transistor
Kleinste indium gallium arsenide transistor

Onderzoekers van het Massachusetts Institute of Technology (MIT) hebben de kleinste indium gallium arsenide transistor gemaakt. De transistor heeft een lengte van slechts 22 nanometer en wordt gezien als een mogelijke opvolger van siliciumtransistoren in computerchips. Bij de huidige steeds kleiner wordende chipafmetingen blijkt silicium minder elektrische stroom te kunnen verwerken dan indium gallium arsenide, dat al met succes wordt gebruikt bij glasvezelcommunicatie en in radarapparatuur. Tot nu toe was het echter nog niet mogelijk om goed werkende indium gallium arsenide transistoren te maken die zo klein zijn dat ze silicium in chips kunnen vervangen. De MIT-onderzoekers zijn hier nu wel in geslaagd.

 

Het fabricageproces van de nieuwe transistor bestaat uit een combinatie van opdampen en etsen. Eerst worden de drain en de source van indium gallium arsenide opgedampt. Vervolgens wordt een dunne laag molybdeen aangebracht als contactmateriaal voor de drain en de source. Met een elektronenstraal worden de countouren van de gate weggeëtst en opgevuld met het gate-oxide. Tenslotte wordt molybdeen voor de aansluiting van de gate opgedampt. Alle stappen van dit productieproces zijn bekend uit de (silicium-)chipsfabricage, maar werden tot nu toe nog niet toegepast voor indium gallium arsenide omdat afmetingen bij de huidige toepassingen van dit materiaal nog geen rol speelden.

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items