Onderzoekers van de Technische Universiteit van Wenen hebben samen met collega’s van de
Universiteit van Würzburg ontdekt dat de polarisatie van lichtgolven in dunne lagen halfgeleidermateriaal sterk kan worden beïnvloed door een magnetisch veld. Dit opent de weg naar de ontwikkeling van een ‘licht-transistor’ die kan worden toegepast in toekomstige computers die werken met klokfrequenties in het Terahertzgebied.

 

De invloed van een magnetisch veld op de polarisatierichting van lichtgolven staat bekend als het Faraday-effect. Tot nu toe werd echter zelfs bij een sterk magnetisch veld maar een kleine verdraaiing van de polarisatierichting waargenomen. De onderzoekers hebben nu ontdekt dat zeer dunne halfgeleiderlagen onder invloed van een magnetisch veld de polarisatierichting van lichtgolven veel verder kunnen verdraaien. Deze rotatie kan met behulp van het magnetisch veld in beide richtingen nauwkeurig worden bestuurd, waardoor een optische transistorwerking ontstaat. Volgens de onderzoekers wordt het sterke Faraday-effect veroorzaakt doordat elektronen in de halfgeleider door het licht in trilling worden gebracht. De trillingsrichting wordt door het magnetisch veld gewijzigd en dat heeft weer invloed op de polarisatierichting van de lichtgolven. 

 

Meer info:
www.tuwien.ac.at/news/news_detail/article/6919//EN/