Onderzoekers van het Berkeley National Laboratory (USA) zijn er in geslaagd om kleine gebiedjes van spontane magnetisatie in een bepaalde ferrietsoort te vergroten tot een bruikbare omvang en deze bovendien bestuurbaar te maken met een elektrisch veld, waardoor er ‘enen’ en ‘nullen’ in kunnen worden opgeslagen. Hiermee is het materiaal een veelbelovende kandidaat geworden voor toepassing in toekomstige niet-vluchtige magneto-elektronische (‘spintronic’) geheugens die sneller en kleiner zijn dan hun elektronische tegenhangers.

 

Het gebruikte materiaal (bismuth ferriet) is een zogenaamd multiferroide materiaal dat in principe een isolator is, maar in bepaalde gebiedjes toch elektrische stroom geleidt en bovendien magnetische eigenschappen heeft. Tot nu toe waren de gebiedjes waarin deze verschijnselen optraden te klein voor bruikbare toepassingen. Het onderzoeksteam van Berkeley Lab is er in geslaagd om dunne lagen van het ferrietmateriaal een bepaalde kristalstructuur te geven, waarin de gebieden met magneto-elektronische eigenschappen veel groter zijn (30 tot 40 elektromagnetische eenheden per kubieke centimeter). Bij de experimenten bleek dat het magnetisme in deze gebieden met behulp van een elektrisch veld kan worden in- en uitgeschakeld, waardoor er informatie in kan worden opgeslagen.

 

Meer info:
http://newscenter.lbl.gov/news-releases/2011/03/18/enhancing-the-magnetism-in-bismuth-ferrite/