Elektor Team

Nieuw type resistief geheugen

10 december 2013, 14:37
Nieuw type resistief geheugen
Nieuw type resistief geheugen

Een onderzoeksteam van het University College London (UCL) heeft een nieuw type resistief geheugen (ReRAM) ontwikkeld dat volledig is gebaseerd op siliciumoxide. Het nieuwe geheugen heeft geen vacuüm nodig om te kunnen werken en is daardoor in principe goedkoper en zal een langere levensduur hebben dan het bestaande ReRAM-geheugen. ReRAM-geheugen werkt met materialen waarvan de weerstand verandert als er een elektrische spanning op wordt aangesloten, en waarbij deze verandering blijft bestaan als de spanning weer wordt uitgeschakeld.

 

De nieuwe ReRAM-technologie werd bij toeval ontdekt toen het onderzoeksteam probeerde siliciumoxide-LED’s te maken. Bij deze experimenten leek het alsof de geproduceerde chips onstabiel waren. Bij nader onderzoek van de elektrische eigenschappen bleek echter dat dit niet het geval was, maar dat de chips juist heel voorspelbaar tussen verschillende weerstandstoestanden omschakelden. Ook bleek het mogelijk om een continu variabele weerstand in het materiaal aan te brengen waardoor een zogenaamde memristor ontstaat. Met het basismateriaal siliciumoxide is in principe ook een transparante uitvoering van het nieuwe geheugen mogelijk. ReRAM-geheugen is sneller en energiezuiniger dan flash-geheugen, en neemt minder ruimte in.

 

Foto: UCL/Adnan Mehonic

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items