Elektor Team

Nieuwe etsmethode voor GaAs

10 december 2013, 14:36
Nieuwe etsmethode voor GaAs
Nieuwe etsmethode voor GaAs

Onderzoekers van de University of Illinois hebben een chemische etsmethode ontwikkeld voor het etsen van een pilaarvormige oppervlaktestructuur in galliumarsenide (GaAs). Dit halfgeleidermateriaal wordt toegepast in onder andere zonnecellen, lasers en LED’s. De speciale oppervlaktestructuur is essentieel voor de goede werking van deze onderdelen. Bij de tot nu toe gebruikte droge etsmethode wordt gebruik gemaakt van een ionenbombardement om deze oppervlaktestructuur aan te brengen. Hierbij wordt echter het halfgeleidermateriaal gemakkelijk beschadigd. Bij natte (chemische) etsmethoden wordt in alle richtingen evenveel van het materiaal weggeëtst waardoor pilaarvormige structuren niet mogelijk zijn. Met de nieuwe (chemische) etsmethode kunnen deze structuren wel worden gemaakt.

 

Vóór het etsen wordt op het halfgeleideroppervlak een metaallaagje aangebracht waarin zich op regelmatige afstanden openingen bevinden. Vervolgens wordt het geheel in het etsbad gedompeld. Het metaallaagje werkt als katalysator waardoor de etswerking alleen in de buurt van dit laagje plaatsvindt. Het metaal zakt tijdens het etsen naar beneden waarbij de GaAs-pilaartjes ontstaan. Na afloop van het etsproces kan het metaallaagje eenvoudig worden verwijderd zonder dat het halfgeleidermateriaal wordt beschadigd.

 

Meer info:
http://news.illinois.edu/news/11/1222etching_XiulingLi.html

 

Illustratie: Xiuling Li

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items