Onderzoekers van de Jülich Aachen Research Alliance (JARA) hebben ontdekt dat resistieve geheugencellen (ReRAM) zich gedragen als miniatuuraccu’s. Tot nu toe werd aangenomen dat deze geheugencellen passief waren en konden worden beschreven met de theorie van de memristor, een geheugenelement waarin informatie als weerstandsverandering kan worden opgeslagen. Uit het onderzoek van de JARA blijkt niet alleen dat deze theorie moet worden aangepast, maar ook dat het accugedrag nieuwe gebruiksmogelijkheden biedt: de onderzoekers hebben inmiddels patent aangevraagd op hun idee om de accuspanning te gebruiken om de uitlezing van de geheugencellen te verbeteren.

 

ReRAM-geheugencellen worden gezien als een veelbelovende kandidaat voor toekomstige computergeheugens omdat ze voor betere prestaties zorgen bij een veel lager energieverbruik. In ReRAM-geheugencellen wordt gebruikgemaakt van ionen die oplossen en weer vaste vorm aannemen. Deze beide toestanden zorgen voor een verandering van de elektrische weerstand van de geheugencel, die kan worden gebruikt om een ‘1’ of een ‘0’ aan te geven. Het recente onderzoek heeft aangetoond dat de chemische oxidatie- en reductieprocessen in de cellen ook elektrische spanning opwekken.

 

Illustratie: Jülich Aachen Research Alliance (JARA)