Elektor Team

Sneller en zuiniger dan flashgeheugen

10 december 2013, 14:36
Sneller en zuiniger dan flashgeheugen
Sneller en zuiniger dan flashgeheugen

Een onderzoeksteam van de Purdue University heeft een nieuwe geheugentechnologie ontwikkeld waarmee geheugens kunnen worden gemaakt die sneller en zuiniger zijn dan de huidige flashgeheugens. De technologie is compatibel met bestaande industriële fabricageprocessen voor CMOS-circuits en zal naar verwachting geheugens opleveren die 99% minder energie verbruiken dan flashgeheugens, en hogere lees- en schrijfsnelheden hebben dan SRAM.

 

Bij de nieuwe technologie, die FeTRAM wordt genoemd, worden silicium nanodraden gecombineerd met ferroelektrisch polymeer waardoor een ‘ferroelektrische transistor’ ontstaat. In deze transistor wordt een ‘1’ of een ‘0’ opgeslagen door via een besturingstransistor een elektrisch veld aan te leggen. De FeTRAM-technologie lijkt op de FRAM-technologie maar heeft als voordeel dat het uitlezen dankzij de ferroelektrische transistor niet destructief gebeurt. Hoewel het prototype nog relatief veel energie verbruikt verwachten de onderzoekers dit verbruik bij doorontwikkeling van het concept sterk te kunnen reduceren. Op de nieuwe technologie is inmiddels patent aangevraagd.

 

De resultaten van het onderzoek werden onlangs gepubliceerd in het tijdschrift Nano Letters.

 

Meer info:
http://www.purdue.edu/newsroom/research/2011/110926AppenzellerMemory.html

Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items