Verbluffend record: Kleinste transistor ter wereld met een gate van 1 nm
op
Natuurkundigen en ingenieurs proberen al heel lang om steeds kleinere halfgeleiderstructuren te realiseren. Tot nu toe gold een maat van 5 nm als de natuurkundige grens. Maar dat soort grenzen dagen onderzoekers uit, om ze te overwinnen. En nu hebben onderzoekers van het Department of Energy aan het Lawrence Berkeley National Laboratory een enorme doorbraak bereikt. Omdat een gate van 1 nm mogelijk is, blijft er nog veel ruimte voor verder miniaturiseren, want tot nu toe is bij praktische demonstraties geen kleinere afmeting dan 7 nm bereikt. Moore’s Law kan dus nog een paar jaar geldig blijven, tot onherroepelijk geldt: Rien Ne Va Plus.
De onderzoekers hebben voor hun record-transistor gebruik gemaakt van koolstof-nanobuisjes en MoS2 (molybdeen-disulfide), een stof, die normaal gesproken wordt gebruikt als additief voor smeermiddelen. Mos2 is een materiaal met grote mogelijkheden voor LED’s, lasers, zonnecellen en nu dus ook voor uiterst kleine transistors. De onderzoeksresultaten zijn gepubliceerd in het gerenommeerde vakblad Science.

Beeld van de subminiatuurtransistor onder een elektronenmicroscoop. Afbeelding: Qingxiao Wang / UT Dallas.

Discussie (0 opmerking(en))