Verbluffend record: Kleinste transistor ter wereld met een gate van 1 nm

10 oktober 2016, 22:28
Model van de subminiatuur-transistor. Afbeelding: Sujay Desai / UC Berkeley.
Model van de subminiatuur-transistor. Afbeelding: Sujay Desai / UC Berkeley.
De natuurkunde lijkt geen grenzen te kennen, want nu is men erin geslaagd om een werkende transistor met een gate van slechts 1 nm breed te construeren. Daar passen nauwelijks zes atomen naast elkaar in. Een mensenhaar is 50.000 keer zo dik. De Wet van Moore dus naar de volgende ronde.
 
Natuurkundigen en ingenieurs proberen al heel lang om steeds kleinere halfgeleiderstructuren te realiseren. Tot nu toe gold een maat van 5 nm als de natuurkundige grens. Maar dat soort grenzen dagen onderzoekers uit, om ze te overwinnen. En nu hebben onderzoekers van het Department of Energy aan het Lawrence Berkeley National Laboratory een enorme doorbraak bereikt. Omdat een gate van 1 nm mogelijk is, blijft er nog veel ruimte voor verder miniaturiseren, want tot nu toe is bij praktische demonstraties geen kleinere afmeting dan 7 nm bereikt. Moore’s Law kan dus nog een paar jaar geldig blijven, tot onherroepelijk geldt: Rien Ne Va Plus.
 
De onderzoekers hebben voor hun record-transistor gebruik gemaakt van koolstof-nanobuisjes en MoS2 (molybdeen-disulfide), een stof, die normaal gesproken wordt gebruikt als additief voor smeermiddelen. Mos2 is een materiaal met grote mogelijkheden voor LED’s, lasers, zonnecellen en nu dus ook voor uiterst kleine transistors. De onderzoeksresultaten zijn gepubliceerd in het gerenommeerde vakblad Science.
 

Beeld van de subminiatuurtransistor onder een elektronenmicroscoop. Afbeelding: Qingxiao Wang / UT Dallas.
 
Reacties worden ingeladen...
gerelateerde items