Als u, net als wij, de ontwikkeling van nieuwe elektronica volgt, dan hebt u vast al eens gelezen over een nieuwe technologie die de toekomst van de elektronica zal gaan veranderen of aanleiding kan zijn voor een heel nieuwe generatie van apparaten. Vaak is het meer PR dan realiteit, maar dat maakt dit soort ontdekkingen niet minder interessant.

De geheugenweerstand (memory resistor of memristor), een ohms geheugenelement, is zo’n technologie. Al enkele jaren houden we de ontwikkeling van de memristor met zijn interessante eigenschappen in de gaten. Dit potentiële, fundamenteel niet-lineaire onderdeel kan informatie vastleggen door zijn weerstand te veranderen. Traditionele geheugenelementen die zijn opgebouwd met transistors slaan informatie op in de vorm van een elektrische lading.

Memristors zijn kleiner en eenvoudiger dan transistors en ze gebruiken minder energie. Ze herinneren zich als het ware, hoeveel lading er door ze heen gestroomd is, en dat maakt ze interessant als geheugencellen. Het belangrijkste probleem van memristors is op het ogenblik nog de slechte stabiliteit van de geheugeninhoud over langere tijd.

Onderzoekers van de University of Southampton hebben een nieuwe technologie voor tweelaags metaaloxide-memristors gedemonstreerd die maximaal 92 onderscheidbare toestanden per geheugenelement biedt, dat is bijna vier keer zoveel als eerder werd gerapporteerd. Naast de mogelijkheid om tot 6,5 bits aan informatie vast te leggen, blijken deze cellen die informatie ook veel beter vast te houden. Ze hebben ook nog eens een laag energieverbruik.

Bron van de afbeelding: University of Southhampton